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SI4836DY中文资料

SI4836DY图片

SI4836DY外观图

  • 大小：48.25KB
  • 厂家：VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述：N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：12 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：17 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 下降时间：115 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.6 W
  • 上升时间：41 ns
  • 工厂包装数量：100
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：190 ns

SI4836DY供应商

更新时间:2023-01-29 18:21:15
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SI7850DP-T1-E3SI3019-KTSN74LVC07APWRS-24CS08AFJ-TB-1GESIRA06DP-T1-GE3SS23-E3/52TSI3445DV-T1S-8355M50MC-MDJT2GSN74LV541APWRSSM3K102TU

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